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Low density crystal originated pit polished monocrystalline silicon wafers for integrated circuit
Standard in brief
Scope of Application：
本文件规定了低密度晶体原生凹坑硅单晶抛光片（以下简称Low-COP抛光片）的技术要求、试验方法、检验规则、包装、标志、运输、贮存、随行文件及订货单内容。
本文件适用于对晶体原生凹坑敏感的集成电路用直径为200 mm和300 mm、晶向<100>、电阻率0.1 Ω·cm～100 Ω·cm的Low-COP抛光片。
Basic information
Standard No：GB/T 41325-2022
Standard Name：集成电路用低密度晶体原生凹坑硅单晶抛光片
English Name：Low density crystal originated pit polished monocrystalline silicon wafers for integrated circuit
Standard Status：现行
Release Date：2022-03-09
Effective Date：2022-10-01
Language of Publication：中文简体
Standard Classification
ICS Number：29.045
CCS Number：H82
Related Standards
Referenced Standards：GB/T 1550,GB/T 2828.1,GB/T 4058,GB/T 6616,GB/T 6624,GB/T 12962,GB/T 12965,GB/T 14264,GB/T 19921,GB/T 29504,GB/T 29505,GB/T 29507,GB/T 29508,GB/T 32280,GB/T 39145,YS/T 28,YS/T 679,SEMI M43,SEMI M67,SEMI M68,SEMI M70,SEMI M77
Publication Information
Number of pages：12
Number of words：20 K
Format：大16
Edition：1
Color Pages：0
Electronic Version：Yes
Color Images：No
Print Publication Date：2022-03-01
Standard Revision Information
Has Amendment：No
Other Information
Application Dept：国家市场监督管理总局、国家标准化管理委员会
Standard Type：CN
Standard Attribute：GB
Other Standard Number：41325
Drafter：孙燕、宁永铎、钟耕杭、李洋、徐新华、骆红、杨素心、李素青、张海英、由佰玲、潘金平
Drafting Organization：有研半导体硅材料股份公司、山东有研半导体材料有限公司、杭州中欣晶圆半导体股份有限公司、南京国盛电子有限公司、有色金属技术经济研究院有限责任公司、浙江金瑞泓科技股份有限公司、中环领先半导体材料有限公司、浙江海纳半导体有限公司
Management Organization：全国半导体设备和材料标准化技术委员会(SAC/TC 203)、全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分技术委员会(SAC/TC 203/SC 2)
Proposing Department：全国半导体设备和材料标准化技术委员会(SAC/TC 203)、全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分技术委员会(SAC/TC 203/SC 2)
