This standard is the Chinese version electronic standard. After you successfully purchase, we will send the electronic version of this standard to your email address. If you have any question, please contact email: ChineseStandardsLibraryS001@gmail.com.
Determination of impurity content in trichlorosilane for silicon epitaxy—Inductively coupled plasma mass spectrometry
Standard in brief
Scope of Application：
本文件描述了硅外延用三氯氢硅中锂、硼、钠、镁、铝、钾、钙、磷、钛、钒、铬、锰、铁、钴、镍、铜、锌、镓、钼、砷、铅等元素的电感耦合等离子体质谱仪测定方法。
本文件适用于硅外延用三氯氢硅中杂质元素含量的测定。各元素测定范围见表1。
Basic information
Standard No：GB/T 29056-2025
Standard Name：硅外延用三氯氢硅中杂质含量的测定 电感耦合等离子体质谱法
English Name：Determination of impurity content in trichlorosilane for silicon epitaxy—Inductively coupled plasma mass spectrometry
Standard Status：现行
Release Date：2012-12-31
Effective Date：2026-05-01
Language of Publication：中文简体
Standard Classification
ICS Number：77.040
CCS Number：H17
Related Standards
Referenced Standards：GB/T 602,GB/T 11446.1-2013,GB/T 25915.1-2021
Publication Information
Number of pages：12
Number of words：15 K
Format：大16
Edition：1
Color Pages：0
Electronic Version：Yes
Color Images：No
Print Publication Date：2025-10-01
Standard Revision Information
Has Amendment：No
Other Information
Application Dept：国家市场监督管理总局、国家标准化管理委员会
Standard Type：CN
Standard Attribute：GB
Other Standard Number：29056
Drafter：万烨、郭树虎、刘见华、曹俊英、赵培芝、吴作木、宋丹、王春明、魏东亮、李强、冉祎、康俊勤、甘俊、汤艳
Drafting Organization：洛阳中硅高科技有限公司、江苏鑫华半导体科技股份有限公司、四川永祥新能源有限公司、江苏中能硅业科技发展有限公司、亚洲硅业(青海)股份有限公司、青海南玻新能源科技有限公司、青海丽豪清能股份有限公司、新疆新特新能材料检测中心有限公司、湖北江瀚新材料股份有限公司
Management Organization：全国半导体设备和材料标准化技术委员会(SAC/TC 203)、全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分技术委员会(SAC/TC 203/SC 2)
Proposing Department：全国半导体设备和材料标准化技术委员会(SAC/TC 203)、全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分技术委员会(SAC/TC 203/SC 2)
