This standard is the Chinese version electronic standard. After you successfully purchase, we will send the electronic version of this standard to your email address. If you have any question, please contact email: ChineseStandardsLibraryS001@gmail.com.
Surface chemical analysis—Secondary-ion mass spectrometry—Method for depth profiling of boron in silicon
Standard in brief
Scope of Application：
本文件描述了用扇形磁场或四极杆式二次离子质谱仪对硅中硼进行深度剖析的方法，以及用触针式表面轮廓仪或光学干涉仪深度定标的方法。
本文件适用于硼原子浓度范围1×1016 atoms/cm3～1×1020 atoms/cm3的单晶硅、多晶硅或非晶硅样品，溅射弧坑深度在50 nm及以上。
Basic information
Standard No：GB/T 40109-2021
Standard Name：表面化学分析 二次离子质谱 硅中硼深度剖析方法
English Name：Surface chemical analysis—Secondary-ion mass spectrometry—Method for depth profiling of boron in silicon
Standard Status：现行
Release Date：2021-05-21
Effective Date：2021-12-01
Language of Publication：中文简体
Standard Classification
ICS Number：71.040.40
CCS Number：G04
Related Standards
Referenced Standards：ISO 14237:2010
Adopted Standards：ISO 17560:2014
Adopted Standard Name：《表面化学分析 二次离子质谱 硅中硼深度剖析方法》
Adoption Level：IDT
Publication Information
Number of pages：16
Number of words：20 K
Format：大16
Edition：1
Color Pages：0
Electronic Version：Yes
Color Images：No
Print Publication Date：2021-05-01
Standard Revision Information
Has Amendment：No
Other Information
Application Dept：国家市场监督管理总局、国家标准化管理委员会
Standard Type：CN
Standard Attribute：GB
Other Standard Number：40109
Drafter：马农农、何友琴、陈潇、张鑫、王东雪、李展平
Drafting Organization：中国电子科技集团公司第四十六研究所
Management Organization：全国微束分析标准化技术委员会(SAC/TC 38)
Proposing Department：全国微束分析标准化技术委员会(SAC/TC 38)
