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Test method for thickness and fltaness of monocrystalline silicon carbide wafers
Standard in brief
Scope of Application：
本文件描述了碳化硅单晶片的厚度和平整度测试方法，包括接触式和非接触式测试方法。
本文件适用于厚度为0.13 mm~1 mm，直径为50.8 mm、76.2 mm、100 mm、150 mm、200 mm的碳化硅单晶片厚度和平整度的测试。
本文件也适用于碳化硅外延片厚度和平整度的测试。
Basic information
Standard No：GB/T 32278-2025
Standard Name：碳化硅单晶片厚度和平整度测试方法
English Name：Test method for thickness and fltaness of monocrystalline silicon carbide wafers
Standard Status：现行
Release Date：2015-12-10
Effective Date：2026-02-01
Language of Publication：中文简体
Standard Classification
ICS Number：77.040
CCS Number：H21
Related Standards
Referenced Standards：GB/T 14264,GB/T 25915.1-2021,GB/T 30656,GB/T 43885
Publication Information
Number of pages：12
Number of words：13 K
Format：大16
Edition：1
Color Pages：0
Electronic Version：Yes
Color Images：No
Print Publication Date：2025-08-01
Standard Revision Information
Has Amendment：No
Other Information
Application Dept：国家市场监督管理总局、国家标准化管理委员会
Standard Type：CN
Standard Attribute：GB
Other Standard Number：32278
Drafter：佘宗静、彭同华、何烜坤、王大军、王波、杨建、贺东江、吴殿瑞、刘小平、刘薇、黄宇程、胡动力、汪传勇、赵文琪、黄兴
Drafting Organization：北京天科合达半导体股份有限公司、中国电子科技集团公司第四十六研究所、山东天岳先进科技股份有限公司、安徽长飞先进半导体股份有限公司、广东天域半导体股份有限公司、南京盛鑫半导体材料有限公司、有色金属技术经济研究院有限责任公司、浙江晶瑞电子材料有限公司、连科半导体有限公司、长飞光纤光缆股份有限公司、派恩杰半导体(浙江)有限公司
Management Organization：全国半导体设备和材料标准化技术委员会(SAC/TC 203)、全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分技术委员会(SAC/TC 203/SC 2)
Proposing Department：全国半导体设备和材料标准化技术委员会(SAC/TC 203)、全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分技术委员会(SAC/TC 203/SC 2)
