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Semiconductor devices—Metallization stress void test
Standard in brief
Scope of Application：
本文件描述了铝（Al)或铜（Cu)金属化空洞应力试验方法及相关判据。
本文件适用于半导体工艺的可靠性研究和鉴定。
Basic information
Standard No：GB/T 46717-2025
Standard Name：半导体器件 金属化空洞应力试验
English Name：Semiconductor devices—Metallization stress void test
Standard Status：现行
Release Date：2025-10-31
Effective Date：2026-05-01
Language of Publication：中文简体
Standard Classification
ICS Number：31.080.01
CCS Number：L40
Related Standards
Adopted Standards：IEC 62418:2010
Adopted Standard Name：《半导体器件 金属化空洞应力试验》
Adoption Level：IDT
Publication Information
Number of pages：20
Number of words：23 K
Format：大16
Edition：1
Color Pages：0
Electronic Version：Yes
Color Images：No
Print Publication Date：2025-10-01
Standard Revision Information
Has Amendment：No
Other Information
Application Dept：国家市场监督管理总局、国家标准化管理委员会
Standard Type：CN
Standard Attribute：GB
Other Standard Number：46717
Drafter：裴选、席善斌、杨俊锋、侯继儒、卫云、高东阳、尹丽晶、吴亚光、赵昱、柯佳键、任怀龙、肖庆中、龙秀才、程志勇、曲韩宾、高博、李潇龙、曲佳健、赵妍婷
Drafting Organization：中国电子科技集团公司第十三研究所、河北北芯半导体科技有限公司、广州天极电子科技股份有限公司、中国核电工程有限公司河北分公司、广东科信电子有限公司、河北新华北集成电路有限公司、工业和信息化部电子第五研究所、中山奥士森电子有限公司、深圳市微特精密科技股份有限公司、河北赛美科技有限公司
Management Organization：全国半导体器件标准化技术委员会(SAC/TC 78)
Proposing Department：中华人民共和国工业和信息化部
