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Silicon carbide epitaxial wafers
Standard in brief
Scope of Application：
本文件规定了碳化硅外延片的产品分类、技术要求、试验方法、检验规则及标志、包装、运输与贮存、随行文件和订货单内容。本文件适用于在导电型碳化硅衬底上，生长碳化硅同质外延层的外延片，产品用于制作碳化硅电力电子器件。
Basic information
Standard No：GB/T 43885-2024
Standard Name：碳化硅外延片
English Name：Silicon carbide epitaxial wafers
Standard Status：现行
Release Date：2024-04-25
Effective Date：2024-11-01
Language of Publication：中文简体
Standard Classification
ICS Number：29.045
CCS Number：H83
Related Standards
Referenced Standards：GB/T 2828.1-2012,GB/T 6624,GB/T 14146,GB/T 14264,GB/T 19921,GB/T 29505,GB/T 30656,GB/T 32278,GB/T 39145,GB/T 42902,GB/T 42905,YS/T 28
Publication Information
Number of pages：16
Number of words：21 K
Format：大16
Edition：1
Color Pages：0
Electronic Version：Yes
Color Images：No
Print Publication Date：2024-04-01
Standard Revision Information
Has Amendment：No
Other Information
Application Dept：国家市场监督管理总局、国家标准化管理委员会
Standard Type：CN
Standard Attribute：GB
Other Standard Number：43885
Drafter：李国鹏、仇光寅、刘勇、骆红、李素青、丁雄杰、舒天宇、佘宗静、冯淦、杨玉聪、王银海、侯晓蕊、薛宏伟、刘红超、金向军、尚海波、刘薇、王岩、徐所成、李毕庆、陈浩、袁肇耿、周勋、刘长春、汪之涵、黄勤金、赵丽丽、胡动力、和巍巍
Drafting Organization：南京国盛电子有限公司、广东天域半导体股份有限公司、上海天岳半导体材料有限公司、北京天科合达半导体股份有限公司、瀚天天成电子科技(厦门)股份有限公司、ＴＣＬ环鑫半导体(天津)有限公司、有色金属技术经济研究院有限责任公司、南京盛鑫半导体材料有限公司、山西烁科晶体有限公司、河北普兴电子科技股份有限公司、安徽长飞先进半导体有限公司、中电化合物半导体有限公司、上海合晶硅材料股份有限公司、江苏华兴激光科技有限公司、杭州乾晶半导体有限公司、湖南三安半导体有限责任公司、浙江晶睿电子科技有限公司、宁波合盛新材料有限公司、沈阳星光技术陶瓷有限公司、深圳基本半导体有限公司、海迪科(南通)光电科技有限公司、哈尔滨科友半导体产业装备与技术研究院有限公司、连科半导体有限公司
Management Organization：全国半导体设备和材料标准化技术委员会(SAC/TC 203)、全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分会(SAC/TC 203/SC 2)
Proposing Department：全国半导体设备和材料标准化技术委员会(SAC/TC 203)、全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分会(SAC/TC 203/SC 2)
