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Semiconductor devices—Time dependent dielectric breakdown(TDDB)test for gate dielectric films
Standard in brief
Scope of Application：
本文件描述了半导体器件栅介质层的时间相关介电击穿(TDDB)试验方法以及TDDB失效的产品寿命时间估算方法。
Basic information
Standard No：GB/T 45720-2025
Standard Name：半导体器件 栅介质层的时间相关介电击穿(TDDB)试验
English Name：Semiconductor devices—Time dependent dielectric breakdown(TDDB)test for gate dielectric films
Standard Status：现行
Release Date：2025-05-30
Effective Date：2025-09-01
Language of Publication：中文简体
Standard Classification
ICS Number：31.080.01
CCS Number：L55
Related Standards
Adopted Standards：IEC 62374:2007
Adopted Standard Name：《半导体器件 栅介质层的时间相关介电击穿(TDDB)试验》
Adoption Level：IDT
Publication Information
Number of pages：24
Number of words：33 K
Format：大16
Edition：1
Color Pages：0
Electronic Version：Yes
Color Images：No
Print Publication Date：2025-05-01
Standard Revision Information
Has Amendment：No
Other Information
Application Dept：国家市场监督管理总局、国家标准化管理委员会
Standard Type：CN
Standard Attribute：GB
Other Standard Number：45720
Drafter：陈义强、来萍、高汭、蔡荣敢、冯宇翔、王力纬、董显山、肖庆中、陈媛、常江、刘岳阳、刘岗岗、裴选、张亮旗、冯军宏、迟雷、夏自金、刘世文
Drafting Organization：工业和信息化部电子第五研究所、吉林华微电子股份有限公司、安徽长麦智能科技有限公司、中国科学院半导体研究所、广东汇芯半导体有限公司、贵州振华风光半导体股份有限公司、河北北芯半导体科技有限公司、东莞赛诺高德蚀刻科技有限公司、中芯国际集成电路制造(上海)有限公司、中国电子科技集团公司第十三研究所、深圳市森美协尔科技有限公司
Management Organization：全国半导体器件标准化技术委员会(SAC/TC 78)
Proposing Department：中华人民共和国工业和信息化部
