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Practice for shallow etch pit detection on silicon
Standard in brief
Scope of Application：
本标准规定了用热氧化和化学择优腐蚀技术检验抛光片或外延片表面因沾污造成的浅腐蚀坑的检测方法。
本标准适用于检测〈111〉或〈100〉晶向的p型或n型抛光片或外延片，电阻率大于0.001 Ω·cm。
Basic information
Standard No：GB/T 26066-2010
Standard Name：硅晶片上浅腐蚀坑检测的测试方法
English Name：Practice for shallow etch pit detection on silicon
Standard Status：现行
Release Date：2011-01-10
Effective Date：2011-10-01
Language of Publication：中文简体
Standard Classification
ICS Number：29.045
CCS Number：H80
Related Standards
Referenced Standards：GB/T 14264
Publication Information
Number of pages：8
Number of words：8 K
Format：大16
Edition：1
Color Pages：0
Electronic Version：Yes
Color Images：No
Print Publication Date：2011-06-01
Standard Revision Information
Has Amendment：No
Other Information
Application Dept：中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局、中国国家标准化管理委员会
Standard Type：CN
Standard Attribute：GB
Other Standard Number：26066
Drafter：田素霞、张静雯、王文卫、周涛
Drafting Organization：洛阳单晶硅有限责任公司
Management Organization：全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分技术委员会(SAC/TC 203/SC 2)
