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Semiconductor devices—Flexible and stretchable semiconductor devices—Part 9:Performance testing methods of one transistor and one resistor(1T1R) resistive memory cells
Standard in brief
Scope of Application：
本文件描述了一晶体管一电阻式（1T1R）电阻存储单元的性能测试方法。本文件中的性能测试方法所测试的性能包括读、电预处理、置位、复位、耐久性和保持性。
本文件适用于柔性和刚性电阻存储器件，且不受器件的工艺和尺寸限制。
Basic information
Standard No：GB/T 47239.9-2026
Standard Name：半导体器件 柔性可拉伸半导体器件 第9部分：一晶体管一电阻式(1T1R)电阻存储单元性能测试方法
English Name：Semiconductor devices—Flexible and stretchable semiconductor devices—Part 9:Performance testing methods of one transistor and one resistor(1T1R) resistive memory cells
Standard Status：即将实施
Release Date：2026-02-27
Effective Date：2026-09-01
Language of Publication：中文简体
Standard Classification
ICS Number：31.080.99
CCS Number：L55
Related Standards
Adopted Standards：IEC 62951-9:2022
Adopted Standard Name：《半导体器件 柔性可拉伸半导体器件 第9部分:一晶体管一电阻式(1T1R)电阻存储单元性能测试方法》
Adoption Level：MOD
Publication Information
Number of pages：20
Number of words：30 K
Format：大16
Edition：1
Color Pages：0
Electronic Version：Yes
Color Images：Yes
Print Publication Date：2026-02-01
Standard Revision Information
Has Amendment：No
Other Information
Application Dept：国家市场监督管理总局、国家标准化管理委员会
Standard Type：CN
Standard Attribute：GB
Other Standard Number：47239.9
Drafter：沈磊、孙建军、俞剑、刘山佳、时拓、周睿晰、刘津畅、王明、崔波、陈海蓉、张丽静
Drafting Organization：上海复旦微电子集团股份有限公司、之江实验室、复旦大学、中国电子科技集团公司第十三研究所
Management Organization：全国半导体器件标准化技术委员会(SAC/TC 78)
Proposing Department：中华人民共和国工业和信息化部
