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Determination of boron,aluminum and nitrogen impurity content in silicon carbide single crystal—Secondary ion mass spectrometry
Standard in brief
Scope of Application：
本文件规定了碳化硅单晶中硼、铝、氮杂质含量的二次离子质谱测试方法。本文件适用于碳化硅单晶中硼、铝、氮杂质含量的定量分析，测定范围为硼含量不小于5×1013 cm-3、铝含量不小于5×1013 cm-3、氮含量不小于5×1015 cm-3，元素浓度(原子个数百分比)不大于1%。
Basic information
Standard No：GB/T 41153-2021
Standard Name：碳化硅单晶中硼、铝、氮杂质含量的测定 二次离子质谱法
English Name：Determination of boron,aluminum and nitrogen impurity content in silicon carbide single crystal—Secondary ion mass spectrometry
Standard Status：现行
Release Date：2021-12-31
Effective Date：2022-07-01
Language of Publication：中文简体
Standard Classification
ICS Number：77.040
CCS Number：H17
Related Standards
Referenced Standards：GB/T 14264,GB/T 22461,GB/T 32267
Publication Information
Number of pages：8
Number of words：14 K
Format：大16
Edition：1
Color Pages：0
Electronic Version：Yes
Color Images：No
Print Publication Date：2021-12-01
Standard Revision Information
Has Amendment：No
Other Information
Application Dept：国家市场监督管理总局、国家标准化管理委员会
Standard Type：CN
Standard Attribute：GB
Other Standard Number：41153
Drafter：马农农、何友琴、陈潇、刘立娜、何烜坤、李素青、张红岩
Drafting Organization：中国电子科技集团公司第四十六研究所、有色金属技术经济研究院有限责任公司、山东天岳先进科技股份有限公司
Management Organization：全国半导体设备和材料标准化技术委员会(SAC/TC 203)、 全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分技术委员会(SAC/TC 203/SC 2)
Proposing Department：全国半导体设备和材料标准化技术委员会(SAC/TC 203)、全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分技术委员会(SAC/TC 203/SC 2)
