Chinese Standard: GB/T 11072-2009

Indium antimonide polycrystal,single crystals and as-cut slices

全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分技术委员会

1.1　本标准规定了锑化铟多晶、单晶及单晶切割片的产品分类、技术要求和试验方法等。

1.2　本标准适用于区熔法制备的锑化铟多晶及直拉法制备的供制作红外探测器和磁敏元件等用的锑化铟多晶、单晶及切割片。

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