Test method for crystallographic perfection of epitaxial layers in silicon—Etching technique
全国半导体设备和材料标准化技术委员会(SAC/TC 203)、全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分技术委员会(SAC/TC 203/SC 2)
本标准规定了用化学腐蚀显示，并用金相显微镜检验硅外延层晶体完整性的方法。
本标准适用于硅外延层中堆垛层错和位错密度的检验，硅外延层厚度大于2 μm，缺陷密度的测试范围0～10 000 cm-2。
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