Testing method for crystallographic perfection of silicon by preferential etch techniques
全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分技术委员会
本标准规定了用择优腐蚀技术检验硅晶体完整性的方法。
本标准适用于晶向为〈111〉、〈100〉或〈110〉、电阻率为10-3 Ω·cm～104 Ω·cm、位错密度在0 cm-2～105 cm-2之间的硅单晶锭或硅片中原生缺陷的检验。
本方法也适用于硅单晶片。
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