Chinese Standard: GB/T 25188-2010

Thickness measurements for ultrathin silicon oxide layers on silicon wafers  X-ray photoelectron spectroscopy

全国微束分析标准化技术委员会

本标准规定了一种准确测量硅晶片表面超薄氧化硅层厚度的方法，即X射线光电子能谱法（XPS）。

本标准适用于热氧化法在硅晶片表面制备的超薄氧化硅层厚度的准确测量；通常，本标准适用的氧化硅层厚度不大于6 nm。

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