Test method for flatness of monocrystalline silicon carbide wafers
全国半导体设备和材料标准化技术委员会(SAC/TC 203)、全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分会(SAC/TC 203/SC 2)
本标准规定了碳化硅单晶抛光片的平整度，即总厚度变化（TTV)、局部厚度变化（LTV)、弯曲度（Bow)、翘曲度（Warp)的测试方法。
本标准适用于直径为50.8 mm、76.2 mm、100 mm，厚度0.13 mm～1 mm碳化硅单晶抛光片平整度的测试。
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