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Chinese Standard: GB/T 32651-2016

Test method for measuring trace elements in photovoltaic-grade silicon by high-mass resolution glow discharge mass spectrometry

全国半导体设备和材料标准化技术委员会(SAC/TC 203)

本标准规定了采用高质量分辨率辉光放电质谱法测量太阳能级硅中痕量元素的方法。

本标准适用于太阳能级硅材料中痕量元素的测定,其中铁(Fe)、铬(Cr)、镍(Ni)、铜(Cu)、锌(Zn)、硼(B)、磷(P)、钙(Ca)、钠(Na)、镁(Mg)、铝(Al)、砷(As)、钪(Sc)、钛(Ti)、钒(V)、锰(Mn)、钴(Co)、镓(Ga)等元素的测定范围为5 μg/kg~50 mg/kg。本方法适用于分析多种物理形态的以及添加任何种类和浓度掺杂剂的硅材料,例如多晶硅粉末、颗粒、块、锭、片和单晶硅棒、块、片等。

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