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Discrete semiconductor devices—Blank detail specification for high power bipolar transistors
Standard in brief
Scope of Application：
本文件规定了制定大功率双极型晶体管详细规范的要求、试验条件和检验要求、包装、运输和贮存。
本文件适用于大功率双极型晶体管详细规范的制定。
Basic information
Standard No：GB/T 7576-2026
Standard Name：半导体分立器件 大功率双极型晶体管空白详细规范
English Name：Discrete semiconductor devices—Blank detail specification for high power bipolar transistors
Standard Status：即将实施
Release Date：1987-03-27
Effective Date：2026-10-01
Language of Publication：中文简体
Standard Classification
ICS Number：31.080.30
CCS Number：L40
Related Standards
Referenced Standards：GB/T 249,GB/T 2423.2-2008,GB/T 2423.5,GB/T 2423.15,GB/T 2423.21,GB/T 4023.1-2026,GB/T 4587-2023,GB/T 4589.1-2006,GB/T 4937.3,GB/T 4937.4,GB/T 4937.8,GB/T 4937.9,GB/T 4937.12,GB/T 4937.13,GB/T 4937.14,GB/T 4937.15,GB/T 4937.19,GB/T 4937.21,GB/T 4937.22,GB/T 4937.23-2023,GB/T 4937.24,GB/T 4937.25,GB/T 4937.30,GB/T 4937.31,GB/T 4937.32,GB/T 4937.34,GB/T 4937.35,GB/T 7581,IEC 60749-5
Publication Information
Number of pages：20
Number of words：27 K
Format：大16
Edition：1
Color Pages：0
Electronic Version：Yes
Color Images：No
Print Publication Date：2026-03-01
Standard Revision Information
Has Amendment：No
Other Information
Application Dept：国家市场监督管理总局、国家标准化管理委员会
Standard Type：CN
Standard Attribute：GB
Other Standard Number：7576
Drafter：曹赞、周圣泽、孙明、闫美存、侯秀萍、卞岩、戴俊夫、田燕春、王辉、王丕龙、周刚
Drafting Organization：中国电子技术标准化研究院、工业和信息化部电子第五研究所、济南晶恒电子有限责任公司、西安环宇芯微电子有限公司、国家国防科技工业局军工项目审核中心、深圳市麦思浦半导体有限公司、青岛佳恩半导体有限公司、深圳市信展通电子股份有限公司
Management Organization：全国半导体器件标准化技术委员会(SAC/TC 78)
Proposing Department：中华人民共和国工业和信息化部
