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Semiconductor device—Non-destructive recognition criteria of defects in silicon carbide homoepitaxial wafer for power devices—Part 1:Classification of defects
Standard in brief
Scope of Application：
本文件给出了4H-SiC(碳化硅)同质外延片中的缺陷分类。缺陷是按晶体学结构进行分类，并通过明场光学显微术（OM)、光致发光（PL)和X射线形貌(XRT)图像等无损检测方法进行识别。
Basic information
Standard No：GB/T 43493.1-2023
Standard Name：半导体器件 功率器件用碳化硅同质外延片缺陷的无损检测识别判据 第1部分：缺陷分类
English Name：Semiconductor device—Non-destructive recognition criteria of defects in silicon carbide homoepitaxial wafer for power devices—Part 1:Classification of defects
Standard Status：现行
Release Date：2023-12-28
Effective Date：2024-07-01
Language of Publication：中文简体
Standard Classification
ICS Number：31.080.99
CCS Number：L90
Related Standards
Adopted Standards：IEC 63068-1:2019
Adopted Standard Name：《半导体器件 功率器件用碳化硅同质外延片缺陷的无损检测识别判据 第1部分:缺陷分类》
Adoption Level：IDT
Publication Information
Number of pages：24
Number of words：42 K
Format：大16
Edition：1
Color Pages：0
Electronic Version：Yes
Color Images：No
Print Publication Date：2023-12-01
Standard Revision Information
Has Amendment：No
Other Information
Application Dept：国家市场监督管理总局、国家标准化管理委员会
Standard Type：CN
Standard Attribute：GB
Other Standard Number：43493.1
Drafter：房玉龙、芦伟立、李佳、张冉冉、张红岩、王健、李丽霞、殷源、李振廷、张建峰、徐晨、杨青、刘立娜、钮应喜、金向军、丁雄杰、刘薇、杨玉聪、魏汝省、吴会旺、姚玉、高东兴、王辉、陆敏、夏俊杰、周少丰、郭世平
Drafting Organization：河北半导体研究所(中国电子科技集团公司第十三研究所)、山东天岳先进科技股份有限公司、之江实验室、浙江大学、中国电子科技集团公司第四十六研究所、中国科学院半导体研究所、中电化合物半导体有限公司、广东天域半导体股份有限公司、ＴＣＬ环鑫半导体(天津)有限公司、山西烁科晶体有限公司、河北普兴电子科技股份有限公司、深圳创智芯联科技股份有限公司、深圳市晶扬电子有限公司、广州弘高科技股份有限公司、常州臻晶半导体有限公司、深圳超盈智能科技有限公司、深圳市星汉激光科技股份有限公司、中微半导体(上海)有限公司
Management Organization：全国半导体设备和材料标准化技术委员会(SAC/TC 203)、全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分技术委员会(SAC/TC 203/SC 2)
Proposing Department：全国半导体设备和材料标准化技术委员会(SAC/TC 203)、全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分技术委员会(SAC/TC 203/SC 2)
