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Test method for excess-charge-carrier recombination lifetime in silicon ingots,silicon bricks and silicon wafers—Noncontact eddy-current sensor
Standard in brief
Scope of Application：
本文件描述了用非接触式涡流感应法测试太阳能电池用单晶硅锭、硅块和硅片中非平衡载流子复合寿命的方法。本文件适用于非平衡载流子复合寿命在0.1 μs～10 000 μs、电阻率在0.1 Ω·cm～10 000 Ω·cm的硅锭、硅块和硅片的测试。其中瞬态光电导衰减法适用于非平衡载流子复合寿命小于100 μs时硅锭、硅块和硅片的测试，准稳态光电导法适用于非平衡载流子复合寿命大于200 μs时硅锭、硅块和硅片的测试，非平衡载流子复合寿命在100 μs～200 μs时，两种测试方法均适用。
Basic information
Standard No：GB/T 42907-2023
Standard Name：硅锭、硅块和硅片中非平衡载流子复合寿命的测试 非接触涡流感应法
English Name：Test method for excess-charge-carrier recombination lifetime in silicon ingots,silicon bricks and silicon wafers—Noncontact eddy-current sensor
Standard Status：现行
Release Date：2023-08-06
Effective Date：2024-03-01
Language of Publication：中文简体
Standard Classification
ICS Number：77.040
CCS Number：H21
Related Standards
Referenced Standards：GB/T 1551,GB/T 6618,GB/T 13389,GB/T 14264
Publication Information
Number of pages：20
Number of words：33 K
Format：大16
Edition：1
Color Pages：0
Electronic Version：Yes
Color Images：No
Print Publication Date：2023-08-01
Standard Revision Information
Has Amendment：No
Other Information
Application Dept：国家市场监督管理总局、国家标准化管理委员会
Standard Type：CN
Standard Attribute：GB
Other Standard Number：42907
Drafter：张雪囡、王林、王建平、李向宇、杨阳、邓浩、刘文明、赵子龙、郭红强、张石晶、潘金平、李寿琴、赵军
Drafting Organization：TCL中环新能源科技股份有限公司、弘元新材料(包头)有限公司、隆基绿能科技股份有限公司、宜昌南玻硅材料有限公司、浙江海纳半导体股份有限公司、内蒙古中环晶体材料有限公司、四川永祥光伏科技有限公司
Management Organization：全国半导体设备与材料标准化技术委员会(SAC/TC 203)、全国半导体设备与材料标准化技术委员会材料分技术委员会(SAC/TC 203/SC 2)
Proposing Department：全国半导体设备与材料标准化技术委员会(SAC/TC 203)、全国半导体设备与材料标准化技术委员会材料分技术委员会(SAC/TC 203/SC 2)
