Chinese Standard: GB/T 43536.3-2026

GB/T 43536.3-2026 is the Chinese version electronic standard. After you successfully purchase, we will send the electronic version of this standard to your email address. If you have any question, please contact email: ChineseStandardsLibraryS001@gmail.com.

Three dimensional integrated circuits—Part 3:Model and measurement methods of through-silicon via

Standard in brief
Scope of Application：  
本文件规定了进行数字信号收发的硅通孔（TSV）的电气特性参考模型，用于三维集成电路（3D IC）接口设计，并描述了3D IC中表征TSV特性的电阻和电容的测试方法。
适用于本文件的三维集成电路如下：
——应用：数字消费和移动设备；
——工作电压：0.1 V~5.0 V；
——工作频率：小于2.0 GHz。
本文件不适用于测试设备。图1是一个多芯片互连系统的典型示例，用于后续规范的说明。

Basic information
Standard No：GB/T 43536.3-2026
Standard Name：三维集成电路　第3部分：硅通孔模型及测试方法
English Name：Three dimensional integrated circuits—Part 3:Model and measurement methods of through-silicon via
Standard Status：即将实施
Release Date：2026-07-30
Effective Date：2027-02-01
Language of Publication：中文简体

Standard Classification
ICS Number：31.200
CCS Number：L56

Related Standards
Referenced Standards：IEC 63011-1
Adopted Standards：IEC 63011-3:2018
Adopted Standard Name：《集成电路　三维集成电路　第3部分:硅通孔模型及测试方法》
Adoption Level：IDT

Publication Information
Number of pages：16
Number of words：19 K
Format：大16
Edition：1
Color Pages：0
Electronic Version：Yes
Color Images：Yes
Print Publication Date：2026-07-01

Standard Revision Information
Has Amendment：No

Other Information
Application Dept：国家市场监督管理总局、国家标准化管理委员会
Standard Type：CN
Standard Attribute：GB
Other Standard Number：43536.3
Drafter：李锟、王琪、孙鹏、陈天放、杨晓锋、林智、张宸睿、吕军、陈为玉、赵毅、范剑峰
Drafting Organization：中国电子技术标准化研究院、华进半导体封装先导技术研发中心有限公司、工业和信息化部电子第五研究所、厦门优讯芯片股份有限公司、深圳市埃芯半导体科技有限公司、苏州科阳半导体有限公司、物元半导体技术(青岛)有限公司、珠海硅芯科技有限公司
Management Organization：全国集成电路标准化技术委员会(SAC/TC 599)
Proposing Department：中华人民共和国工业和信息化部