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Discrete semiconductor devices—Part 2:Rectifier diodes
Standard in brief
Scope of Application：
本文件界定了半导体分立器件产品专用的术语、文字符号,规定了基本额定值和特性(性能)及标志要求,描述了验证和测量方法、型式试验、常规试验及耐久性试验。
本文件的半导体分立器件产品包括:
——普通整流二极管;
——雪崩整流二极管;
——快开关整流二极管;
——肖特基势垒二极管。
在没有歧义的情况下,上述任何一种类型均能简称为二极管。
Basic information
Standard No：GB/T 4023.2-2026
Standard Name：半导体分立器件 第2部分：整流二极管
English Name：Discrete semiconductor devices—Part 2:Rectifier diodes
Standard Status：即将实施
Release Date：2026-09-28
Effective Date：2027-04-01
Language of Publication：中文简体
Standard Classification
ICS Number：31.080.10
CCS Number：L41
Related Standards
Referenced Standards：GB/T 17573-2026,IEC 60050-521,IEC 60749-23,IEC 60749-25,IEC 60749-34
Adopted Standards：IEC 60747-2:2025
Adopted Standard Name：《半导体器件 第2部分:分立器件 整流二极管》
Adoption Level：IDT
Publication Information
Number of pages：52
Number of words：84 K
Format：大16
Edition：1
Color Pages：0
Electronic Version：Yes
Color Images：No
Print Publication Date：2026-09-01
Standard Revision Information
Has Amendment：No
Other Information
Application Dept：国家市场监督管理总局、国家标准化管理委员会
Standard Type：CN
Standard Attribute：GB
Other Standard Number：4023.2
Drafter：赵玉玲、蔚红旗、吕瑞芹、董添华、王文婧、宋凤领、张世景、韩东、庄建军、钱进、成蕾、杨国江、刘建、王毅、尧地长、赵越、吴志刚、范雯雯、王民安、戴立新、周凯游
Drafting Organization：石家庄天林石无二电子有限公司、西安电力电子技术研究所有限公司、安徽北方微电子研究院集团有限公司、中国电子科技集团公司第十三研究所、常州银河电器有限公司、日月新半导体(威海)有限公司、江苏长晶科技股份有限公司、扬州扬杰电子科技股份有限公司、江西德尔诚半导体有限公司、深圳市秀武电子有限公司、杭州高裕电子科技股份有限公司、浙江固驰电子有限公司、黄山芯微电子股份有限公司、黄山市七七七电子有限公司、浙江博星电子有限公司
Management Organization：全国半导体器件标准化技术委员会(SAC/TC 78)
Proposing Department：中华人民共和国工业和信息化部
