Chinese Standard: GB/T 42709.29-2026
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Semiconductor devices—Micro-electromechanical devices—Part 29:Electromechanical relaxation test method for freestanding conductive thin films under room temperature
Standard in brief
Scope of Application：
本文件描述了一种松弛试验方法,该方法用于测试微电子机械器件(MEMS)的悬空导电薄膜在恒定应变和室温条件下的机电性能。悬空导电薄膜在MEMS、光电子学、柔性/可穿戴电子产品中有着广泛的应用。悬空薄膜在产品工况中会受到外部和内部的应力作用,即使在室温下,工作一段时间后也可能发生应力松弛,这种松弛会导致产品的电性能随时间而变化。
本文件适用于采用各向同性、均质或线性黏弹性材料制备的悬空导电薄膜。
Basic information
Standard No：GB/T 42709.29-2026
Standard Name：半导体器件 微电子机械器件 第29部分：室温下悬空导电薄膜的机电松弛试验方法
English Name：Semiconductor devices—Micro-electromechanical devices—Part 29:Electromechanical relaxation test method for freestanding conductive thin films under room temperature
Standard Status：即将实施
Release Date：2026-08-28
Effective Date：2027-03-01
Language of Publication：中文简体
Standard Classification
ICS Number：31.200
CCS Number：L55
Related Standards
Referenced Standards：GB/T 42709.2-2026,GB/T 42709.3-2026,GB/T 42709.8-2026,GB/T 42709.21-2026,GB/T 42709.22-2026
Adopted Standards：IEC 62047-29:2017
Adopted Standard Name：《半导体器件 微电子机械器件 第29部分:室温下悬空导电薄膜的机电松弛试验方法》
Adoption Level：IDT
Publication Information
Number of pages：20
Number of words：19 K
Format：大16
Edition：1
Color Pages：0
Electronic Version：Yes
Color Images：No
Print Publication Date：2026-08-01
Standard Revision Information
Has Amendment：No
Other Information
Application Dept：国家市场监督管理总局、国家标准化管理委员会
Standard Type：CN
Standard Attribute：GB
Other Standard Number：42709.29
Drafter：朱晓荣、姜利军、潘峰、刘若冰、张传杰、唐国良、焦斌斌、刘海涛、池积光、钱良山、刘翔、钱剑、马志刚、李春来、刘世界、罗雯雯、陈勇国、肖克来提、陈亮、李方浩、康永印
Drafting Organization：浙江大立科技股份有限公司、杭州大立微电子有限公司、中国电子技术标准化研究院、浙江拓感科技有限公司、国科大杭州高等研究院、中国科学院微电子研究所、工业和信息化部电子第五研究所、中国科学院上海微系统与信息技术研究所、中国计量大学、复旦大学义乌研究院
Management Organization：全国集成电路标准化技术委员会(SAC/TC 599)、全国微机电技术标准化技术委员会(SAC/TC 336)
Proposing Department：中华人民共和国工业和信息化部
