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Semiconductor devices—Reliability test method by inductive load switching stress for gallium nitride(GaN) transistors
Standard in brief
Scope of Application：
本文件描述了通过感性负载开关应力(特别是硬开关应力)评估氮化镓(GaN)功率晶体管可靠性的应力程序和相应试验方法。
Basic information
Standard No：GB/T 48168-2026
Standard Name：半导体器件 基于感性负载开关应力的氮化镓(GaN)晶体管可靠性试验方法
English Name：Semiconductor devices—Reliability test method by inductive load switching stress for gallium nitride(GaN) transistors
Standard Status：即将实施
Release Date：2026-08-28
Effective Date：2027-03-01
Language of Publication：中文简体
Standard Classification
ICS Number：31.080.01
CCS Number：L40
Related Standards
Adopted Standards：IEC 63284:2022
Adopted Standard Name：《半导体器件 基于感性负载开关的氮化镓晶体管可靠性试验方法》
Adoption Level：IDT
Publication Information
Number of pages：16
Number of words：21 K
Format：大16
Edition：1
Color Pages：0
Electronic Version：Yes
Color Images：No
Print Publication Date：2026-08-01
Standard Revision Information
Has Amendment：No
Other Information
Application Dept：国家市场监督管理总局、国家标准化管理委员会
Standard Type：CN
Standard Attribute：GB
Other Standard Number：48168
Drafter：施宜军、何亮、路国光、刘昌、陈万军、黄火林、贺致远、陈兴欢、陈媛、孙瑞泽、付志伟、刘陆川、周峰、周春华、黎子兰、刘斯扬、李祥东、汪猛、罗小蓉、魏进、来萍、陈义强、王小明、刘扬、岳岩、席善斌、张大江、王晔、张丽丽、胡盛东、陈伟中、黄森、刘雯、陶明、邓高强、王成财、郝乐、刘曦、张进成、刘强
Drafting Organization：工业和信息化部电子第五研究所、电子科技大学、大连理工大学、广东工业大学、南京大学、深圳平湖实验室、广东致能半导体有限公司、东南大学、西安电子科技大学、深圳飞骧科技股份有限公司、成都信息工程大学、北京大学、中山大学、国家市场监督管理总局认证认可技术研究中心、河北北芯半导体科技有限公司、珠海镓未来科技有限公司、北京小米移动软件有限公司、重庆大学、重庆邮电大学、中国科学院微电子研究所、西交利物浦大学、湖南大学、贵州芯际探索科技有限公司、北京大学东莞光电研究院
Management Organization：全国半导体器件标准化技术委员会(SAC/TC 78)
Proposing Department：中华人民共和国工业和信息化部
