Chinese Standard: GB/T 43894.3-2026

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Practice for determining semiconductor wafer near-edge geometry—Part 3:Sector area flatness(ESFQR,ESFQD,ESBIR)

Standard in brief
Scope of Application：  
本文件描述了用扇形区域平整度(ESFQR、ESFQD、ESBIR)评价半导体晶片近边缘几何形态的方法。
本 文件适用于直径300 mm 硅抛光片、硅外延片、绝缘体上硅(SOI片),也适用于其他带有表面层的硅片或半导体材料圆形晶片。
注:直径200 mm 硅片参考本文件。

Basic information
Standard No：GB/T 43894.3-2026
Standard Name：半导体晶片近边缘几何形态评价　第3部分:扇形区域平整度法(ESFQR、ESFQD、ESBIR)
English Name：Practice for determining semiconductor wafer near-edge geometry—Part 3:Sector area flatness(ESFQR,ESFQD,ESBIR)
Standard Status：即将实施
Release Date：2026-07-02
Effective Date：2027-02-01
Language of Publication：中文简体

Standard Classification
ICS Number：77.040
CCS Number：H21

Related Standards
Referenced Standards：GB/T 14264-2024,GB/T 16596,GB/T 25915.1-2021,GB/T 34479

Publication Information
Number of pages：12
Number of words：15 K
Format：大16
Edition：1
Color Pages：0
Electronic Version：Yes
Color Images：No
Print Publication Date：2026-07-01

Standard Revision Information
Has Amendment：No

Other Information
Application Dept：国家市场监督管理总局、国家标准化管理委员会
Standard Type：CN
Standard Attribute：GB
Other Standard Number：43894.3
Drafter：朱晓彤、宁永铎、王玥、刘云霞、徐新华、徐国科、张婉婉、丁雄杰、高冰、顾广安、钟佑生、马砚忠
Drafting Organization：山东有研半导体材料有限公司、杭州中欣晶圆半导体股份有限公司、金瑞泓微电子(嘉兴)有限公司、西安奕斯伟材料科技股份有限公司、广东天域半导体股份有限公司、浙江晶越半导体有限公司、上海晶盟硅材料有限公司、郑州合晶硅材料有限公司、深圳中科飞测科技股份有限公司
Management Organization：全国半导体设备和材料标准化技术委员会(SAC/TC 203)、全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分技术委员会(SAC/TC 203/SC 2)
Proposing Department：全国半导体设备和材料标准化技术委员会(SAC/TC 203)、全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分技术委员会(SAC/TC 203/SC 2)