Chinese Standard: GB/T 42709.35-2026

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Semiconductor devices—Micro-electromechanical devices—Part 35:Test method of electrical characteristics under bending deformation for flexible electro-mechanical devices

Standard in brief
Scope of Application：  
本文件描述了柔性MEMS器件在弯曲形变下的电特性测试方法，包括位于柔性薄膜上或嵌入柔性薄膜中的无源和（或）有源器件。
本文件适用的器件的水平尺寸典型范围为1 mm~300 mm，垂直尺寸典型范围为10 μm~1 mm，但这并不是被测器件的极限值。本测试方法是将器件以准静态的方式单向弯曲直至达到最大可能曲率，即器件完全弯折，以获得器件在弯曲变形下电特性的全部损耗特性。本文件对器件在一定弯曲变形下的安全性评价，以及对使用这些器件的产品的可靠性设计有重要意义。

Basic information
Standard No：GB/T 42709.35-2026
Standard Name：半导体器件　微电子机械器件　第35部分：柔性MEMS器件弯曲形变下的电特性测试方法
English Name：Semiconductor devices—Micro-electromechanical devices—Part 35:Test method of electrical characteristics under bending deformation for flexible electro-mechanical devices
Standard Status：即将实施
Release Date：2026-07-30
Effective Date：2027-02-01
Language of Publication：中文简体

Standard Classification
ICS Number：31.200
CCS Number：L55

Related Standards
Adopted Standards：IEC 62047-35:2019
Adopted Standard Name：《半导体器件　微电子机械器件　第35部分:柔性MEMS器件弯曲形变下的电特性测试方法》
Adoption Level：IDT

Publication Information
Number of pages：24
Number of words：29 K
Format：大16
Edition：1
Color Pages：0
Electronic Version：Yes
Color Images：Yes
Print Publication Date：2026-07-01

Standard Revision Information
Has Amendment：No

Other Information
Application Dept：国家市场监督管理总局、国家标准化管理委员会
Standard Type：CN
Standard Attribute：GB
Other Standard Number：42709.35
Drafter：刘若冰、王冠鹰、王玮、喻泷、曾敏毓
Drafting Organization：中国电子技术标准化研究院、中国电力科学研究院有限公司、北京大学、深圳鼎晶科技有限公司、广东龙谊联接技术股份有限公司
Management Organization：全国集成电路标准化技术委员会(SAC/TC 599)、全国微机电技术标准化技术委员会(SAC/TC 336)
Proposing Department：中华人民共和国工业和信息化部