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Semiconductor devices—Reliability test method for silicon carbide metal-oxide semiconductor field effect transistors(SiC MOSFET)—Part 2:Test method for bipolar degradation due to body diode operation
Standard in brief
Scope of Application：
本文件描述了用于评估由于体二极管工作引起的SiC(silicon carbide)功率金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)导通电压变化、导通电阻变化和反向漏极电压变化的试验方法和程序。
硅功率晶体管通常不要求进行此试验。
Basic information
Standard No：GB/T 48164.2-2026
Standard Name：半导体器件 碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管(SiC MOSFET)可靠性试验方法 第2部分：体二极管工作引起双极退化的试验方法
English Name：Semiconductor devices—Reliability test method for silicon carbide metal-oxide semiconductor field effect transistors(SiC MOSFET)—Part 2:Test method for bipolar degradation due to body diode operation
Standard Status：即将实施
Release Date：2026-08-28
Effective Date：2027-03-01
Language of Publication：中文简体
Standard Classification
ICS Number：31.080.01
CCS Number：L40
Related Standards
Referenced Standards：IEC 60747-8
Adopted Standards：IEC 63275-2:2022
Adopted Standard Name：《半导体器件 碳化硅分立金属氧化物半导体场效应晶体管可靠性试验方法 第2部分:体二极管工作引起双极退化的试验方法》
Adoption Level：IDT
Publication Information
Number of pages：12
Number of words：13 K
Format：大16
Edition：1
Color Pages：0
Electronic Version：Yes
Color Images：No
Print Publication Date：2026-08-01
Standard Revision Information
Has Amendment：No
Other Information
Application Dept：国家市场监督管理总局、国家标准化管理委员会
Standard Type：CN
Standard Attribute：GB
Other Standard Number：48164.2
Drafter：陈媛、路国光、陈兴欢、来萍、韦覃如、何亮、侯波、刘陆川、邵伟恒、陈万军、施宜军、万玉喜、邓二平、陈义强、王俊、张国斌、金锐、修德琦、崔潆心、陈中圆、梁世维、李瑞莲、孙博韬、罗海辉、姚尧、卢啸、郭跃伟、高伟、黄土地、丁雄杰、敖松泉、陈澄、智晶、李飞、马林东、吴海文、王若冰、邓华鲜、张丙可、吴一帆、胡久恒
Drafting Organization：工业和信息化部电子第五研究所、电子科技大学、深圳平湖实验室、合肥工业大学、湖南大学、中国电子科技集团公司第五十五研究所、北京智慧能源研究院、清纯半导体(宁波)有限公司、山东大学、株洲中车时代半导体股份有限公司、河北博威集成电路有限公司、北京第三代半导体产业技术创新战略联盟、广东天域半导体股份有限公司、江苏环鑫半导体有限公司、西安卫光科技有限公司、上海航天技术基础研究所、国家市场监督管理总局认证认可技术研究中心、乐山希尔电子股份有限公司、上海贝岭股份有限公司、杭州高坤电子科技股份有限公司
Management Organization：全国半导体器件标准化技术委员会(SAC/TC 78)
Proposing Department：中华人民共和国工业和信息化部
