GB/T 45716.1-2026 is the Chinese version electronic standard. After you successfully purchase, we will send the electronic version of this standard to your email address. If you have any question, please contact email: ChineseStandardsLibraryS001@gmail.com.
Semiconductor devices—Bias-temperature instability test for metal-oxide semiconductor field-effect transistors(MOSFETs)—Part 1:Fast bias-temperature instability test for MOSFETs
Standard in brief
Scope of Application：
本文件描述了用于硅基金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFETs)的快速偏置温度不稳定性(BTI)试验方法。
本文件还界定了与常规BTI试验方法有关的术语。
Basic information
Standard No：GB/T 45716.1-2026
Standard Name：半导体器件 金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFETs)的偏置温度不稳定性试验 第1部分：MOSFETs的快速偏置温度不稳定性试验
English Name：Semiconductor devices—Bias-temperature instability test for metal-oxide semiconductor field-effect transistors(MOSFETs)—Part 1:Fast bias-temperature instability test for MOSFETs
Standard Status：即将实施
Release Date：2026-04-30
Effective Date：2026-11-01
Language of Publication：中文简体
Standard Classification
ICS Number：31.080.30
CCS Number：L40
Related Standards
Adopted Standards：IEC 62373-1:2020
Adopted Standard Name：《半导体器件 金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)的偏置温度稳定性试验 第1部分:MOSFET的快速BTI试验》
Adoption Level：IDT
Publication Information
Number of pages：24
Number of words：33 K
Format：大16
Edition：1
Color Pages：0
Electronic Version：Yes
Color Images：No
Print Publication Date：2026-04-01
Standard Revision Information
Has Amendment：No
Other Information
Application Dept：国家市场监督管理总局、国家标准化管理委员会
Standard Type：CN
Standard Attribute：GB
Other Standard Number：45716.1
Drafter：恩云飞、高汭、肖庆中、李潮、黄鹏、章晓文、林晓玲、何玉娟、杨晓锋、来萍、魏志鹏、韦覃如、韦拢、孙哲、牛皓、鹿祥宾、虞勇坚、贾沛、杨振宝、王凌云、王嘉蓉、周晓阳、杨彦峰、赵玉玲、刘海波、刘健、杨国江、刘月、吴永君、孙守强、吴志刚、谢慧青、朱礼贵、朱袁正
Drafting Organization：工业和信息化部电子第五研究所、北京智芯微电子科技有限公司、中国电子科技集团公司第五十八研究所、河北北芯半导体科技有限公司、中国工程物理研究院流体物理研究所、龙腾半导体股份有限公司、广东芯聚能半导体有限公司、石家庄天林石无二电子有限公司、滁州华瑞微电子科技有限公司、江苏长晶科技股份有限公司、深圳市芯电元科技有限公司、重庆大学、长春理工大学、粤芯半导体技术股份有限公司、杭州高裕电子科技股份有限公司、南京宽能半导体有限公司、深圳市鲁光电子科技有限公司、无锡新洁能股份有限公司
Management Organization：全国半导体器件标准化技术委员会(SAC/TC 78)
Proposing Department：中华人民共和国工业和信息化部
