Chinese Standard: GB/T 48164.1-2026
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Semiconductor devices—Reliability test method for silicon carbide metal-oxide semiconductor field effect transistors(SiC MOSFET)—Part 1:Test method for bias temperature instability
Standard in brief
Scope of Application：
本文件描述了在高温下施加连续栅极-源极正电压应力后,在室温下评估SiC MOSFET的阈值电压漂移的试验方法。该试验方法允许应力和测量之间设置较长的延迟时间(最长可达10 h),以此接受一定程度的阈值电压恢复现象。
Basic information
Standard No：GB/T 48164.1-2026
Standard Name：半导体器件 碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管(SiC MOSFET)可靠性试验方法 第1部分：偏置温度不稳定性试验方法
English Name：Semiconductor devices—Reliability test method for silicon carbide metal-oxide semiconductor field effect transistors(SiC MOSFET)—Part 1:Test method for bias temperature instability
Standard Status：即将实施
Release Date：2026-08-28
Effective Date：2027-03-01
Language of Publication：中文简体
Standard Classification
ICS Number：31.080.01
CCS Number：L40
Related Standards
Referenced Standards：IEC 60747-8
Adopted Standards：IEC 63275-1:2022
Adopted Standard Name：《半导体器件 碳化硅分立金属氧化物半导体场效应晶体管可靠性试验方法 第1部分:偏置温度不稳定性试验方法》
Adoption Level：IDT
Publication Information
Number of pages：16
Number of words：17 K
Format：大16
Edition：1
Color Pages：0
Electronic Version：Yes
Color Images：No
Print Publication Date：2026-08-01
Standard Revision Information
Has Amendment：No
Other Information
Application Dept：国家市场监督管理总局、国家标准化管理委员会
Standard Type：CN
Standard Attribute：GB
Other Standard Number：48164.1
Drafter：陈媛、陈兴欢、陈义强、何亮、施宜军、来萍、彭超、张国斌、罗海辉、路国光、赵鹏、孙伟峰、魏家行、谭永亮、吴帆正树、夏焕春、曹琳、陈敏、姚尧、苏日丽、张园览、何健锋、王舶男、张家祺、闫志峰、席善斌、王珩宇、郭清、刘宇、黄洪钟、丁雄杰、杨玉聪、张新玲、高伟、王振、罗望春、骆健、朱郑允、李伟聪、马利奇、孙明光、刘伟伟、杨国江、吴孝严
Drafting Organization：工业和信息化部电子第五研究所、中国电子科技集团公司第五十五研究所、株洲中车时代半导体股份有限公司、东南大学、北京国联万众半导体科技有限公司、清纯半导体(宁波)有限公司、安徽长飞先进半导体股份有限公司、龙腾半导体股份有限公司、浙江大学、河北博威集成电路有限公司、河北北芯半导体科技有限公司、电子科技大学、广东天域半导体股份有限公司、TCL环鑫半导体(天津)有限公司、北京第三代半导体产业技术创新战略联盟、中国南方电网有限责任公司超高压输电公司电力科研院、南京南瑞半导体有限公司、深圳市威兆半导体股份有限公司、江苏应能微电子股份有限公司、江苏长晶科技股份有限公司、上海贝岭股份有限公司
Management Organization：全国半导体器件标准化技术委员会(SAC/TC 78)
Proposing Department：中华人民共和国工业和信息化部
