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Discrete semicondutor devices—Part 3:Signal,switching and regulator diodes
Standard in brief
Scope of Application：
本文件规定了信号、开关和调整二极管的术语、定义和图形符号，符号，基本额定值和特性，测试方法，接收和可靠性要求。
本文件适用于下列各类二极管的研制、生产和检验。包括：
--信号二极管（不包括设计用于工作频率在百兆赫兹以上的二极管）；
--开关二极管（不包括大功率整流二极管）；
--电压调整二极管；
--电压基准二极管；
--电流调整二极管。
Basic information
Standard No：GB/T 4023.3-2026
Standard Name：半导体分立器件 第3部分：信号、开关和调整二极管
English Name：Discrete semicondutor devices—Part 3:Signal,switching and regulator diodes
Standard Status：即将实施
Release Date：2026-04-30
Effective Date：2026-11-01
Language of Publication：中文简体
Standard Classification
ICS Number：31.080.10
CCS Number：L41
Related Standards
Referenced Standards：GB/T 2900.66-2004,GB/T 14733.7-2008,GB/T 17573-2026
Adopted Standards：IEC 60747-3:2013
Adopted Standard Name：《半导体器件 第3部分:分立器件 信号、开关和调整二极管》
Adoption Level：IDT
Publication Information
Number of pages：36
Number of words：61 K
Format：大16
Edition：1
Color Pages：0
Electronic Version：Yes
Color Images：No
Print Publication Date：2026-04-01
Standard Revision Information
Has Amendment：No
Other Information
Application Dept：国家市场监督管理总局、国家标准化管理委员会
Standard Type：CN
Standard Attribute：GB
Other Standard Number：4023.3
Drafter：张小明、左俊英、孙光灵、赵玉玲、李锐、安启跃、韩若兰、刘影影、宾伟雄、宣融、牛司举、赵德刚、汪义旺、刘轶亮、刘伟、赖泽联、胡鑫、林雅璟、骆宗友、植韵涵、刘文清、周刚、杨华、李杰、李建利、丁蕾、郑勇、向军、刘园园
Drafting Organization：安徽安芯电子科技股份有限公司、中绍宣科技集团有限公司、深圳市德瑞茵精密科技有限公司、石家庄天林石无二电子有限公司、安徽建筑大学、安徽省电子产品监督检验所、南京百识电子科技有限公司、郑州汉威光电股份有限公司、济南大学、先之科半导体科技(东莞)有限公司、深圳天狼芯半导体有限公司、深圳优晶微电子科技有限公司、苏州职业技术大学、健鼎(湖北)电子有限公司、东莞市嘉佰达电子科技有限公司、江苏华芯智造半导体有限公司、深圳市信展通电子股份有限公司、安徽芯旭半导体有限公司、深圳深爱半导体股份有限公司、安徽安美半导体有限公司、宁波群芯微电子股份有限公司、名正(浙江)电子装备有限公司、江苏新智达新能源设备有限公司
Management Organization：全国半导体器件标准化技术委员会(SAC/TC 78)
Proposing Department：中华人民共和国工业和信息化部
