Chinese Standard: GB/T 42709.8-2026

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Semiconductor devices—Micro-electromechanical devices—Part 8:Strip bending test method for tensile property measurement of thin films

Standard in brief
Scope of Application：  
本文件描述了用于测量带状薄膜拉伸特性的弯曲试验方法，与常规拉伸测试相比，该方法操作难度适中，具有精度高和可重复的优点。本方法适用于厚度在50 nm到几微米（μm）之间，且长度和厚度的比值大于300的试样。
在微机电系统(MEMS)中，两个固定支点之间的悬空带状薄膜（或梁）被广泛采用。与制造传统的拉伸试样相比，制造这种带状薄膜样品比较容易，且测试过程简单，很容易实现自动化。本文件能用于MEMS生产过程中的质量控制测试，与传统拉伸测试相比，其测试效率更高。

Basic information
Standard No：GB/T 42709.8-2026
Standard Name：半导体器件　微电子机械器件　第8部分：带状薄膜拉伸特性测量的弯曲试验方法
English Name：Semiconductor devices—Micro-electromechanical devices—Part 8:Strip bending test method for tensile property measurement of thin films
Standard Status：即将实施
Release Date：2026-07-30
Effective Date：2027-02-01
Language of Publication：中文简体

Standard Classification
ICS Number：31.200
CCS Number：L55

Related Standards
Adopted Standards：IEC 62047-8:2011
Adopted Standard Name：《半导体器件　微电子机械器件　第8部分:带状薄膜拉伸特性测量的弯曲试验方法》
Adoption Level：IDT

Publication Information
Number of pages：24
Number of words：29 K
Format：大16
Edition：1
Color Pages：0
Electronic Version：Yes
Color Images：Yes
Print Publication Date：2026-07-01

Standard Revision Information
Has Amendment：No

Other Information
Application Dept：国家市场监督管理总局、国家标准化管理委员会
Standard Type：CN
Standard Attribute：GB
Other Standard Number：42709.8
Drafter：钱良山、刘若冰、姜利军、范延军、刘翔、李春来、焦斌斌、肖克来提、朱晓荣、潘峰、池积光、刘海涛、马志刚、钱剑、陈勇国、刘世界、唐国良、张传杰、康永印、陈亮、李方浩、罗雯雯
Drafting Organization：浙江大立科技股份有限公司、中国电子技术标准化研究院、国科大杭州高等研究院、中国科学院上海微系统与信息技术研究所、中国科学院微电子研究所、工业和信息化部电子第五研究所、浙江拓感科技有限公司、复旦大学义乌研究院、中国计量大学、杭州大立微电子有限公司
Management Organization：全国集成电路标准化技术委员会(SAC/TC 599)、全国微机电技术标准化技术委员会(SAC/TC 336)
Proposing Department：中华人民共和国工业和信息化部