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Semiconductor devices—Stress migration test—Part 1:Copper stress migration test
Standard in brief
Scope of Application：
本文件规定了一种恒温老化方法，该方法用于试验微电子晶圆上的铜(Cu)金属化测试结构对应力诱生空洞(SIV)的敏感性。该方法将主要在产品的晶圆级工艺开发过程中进行，其结果将用于寿命预测和失效分析。在某些情况下，该方法能应用于封装级试验。由于试验时间长，此方法不适用于产品批次性交付检查。
双大马士革铜金属化系统通常在蚀刻到介电层的沟槽的底部和侧面具有内衬，例如钽(Ta)或氮化钽(TaN)。因此，对于单个通孔接触下面宽线的结构，通孔下方空洞引起的阻值漂移达到失效判据规定的某一百分比时，将会瞬间导致开路失效。
Basic information
Standard No：GB/T 45721.1-2025
Standard Name：半导体器件 应力迁移试验 第1部分：铜应力迁移试验
English Name：Semiconductor devices—Stress migration test—Part 1:Copper stress migration test
Standard Status：现行
Release Date：2025-05-30
Effective Date：2025-09-01
Language of Publication：中文简体
Standard Classification
ICS Number：31.080.01
CCS Number：L40
Related Standards
Adopted Standards：IEC 62880-1:2017
Adopted Standard Name：《半导体器件 应力迁移试验标准 第1部分:铜应力迁移试验标准》
Adoption Level：IDT
Publication Information
Number of pages：28
Number of words：34 K
Format：大16
Edition：1
Color Pages：0
Electronic Version：Yes
Color Images：Yes
Print Publication Date：2025-05-01
Standard Revision Information
Has Amendment：No
Other Information
Application Dept：国家市场监督管理总局、国家标准化管理委员会
Standard Type：CN
Standard Attribute：GB
Other Standard Number：45721.1
Drafter：黄云、肖庆中、高汭、韦覃如、成立业、雷登云、周振威、陈思、黄钦文、贾沛、赵海龙、姚若河、李军、万永康、虞勇坚、刘东月、陈勇、崔从俊
Drafting Organization：工业和信息化部电子第五研究所、中国电子科技集团公司第五十八研究所、河北北芯半导体科技有限公司、华南理工大学、杭州飞仕得科技股份有限公司、广东工业大学、广东气派科技有限公司、中绍宣标准科技集团有限公司
Management Organization：全国半导体器件标准化技术委员会(SAC/TC 78)
Proposing Department：中华人民共和国工业和信息化部
