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Test method for resistivity of semi-insulating monocrystalline silicon carbide by contactless measurement
Standard in brief
Scope of Application：
本文件描述了半绝缘碳化硅单晶的电阻率非接触测试方法。
本文件适用于测量电阻率范围为 1×10 5 Ω·cm～1×1012Ω·cm的半绝缘碳化硅单晶片。
Basic information
Standard No：GB/T 42271-2022
Standard Name：半绝缘碳化硅单晶的电阻率非接触测试方法
English Name：Test method for resistivity of semi-insulating monocrystalline silicon carbide by contactless measurement
Standard Status：现行
Release Date：2022-12-30
Effective Date：2023-04-01
Language of Publication：中文简体
Standard Classification
ICS Number：77.040
CCS Number：H21
Related Standards
Referenced Standards：GB/T 14264,GB/T 30656
Publication Information
Number of pages：12
Number of words：16 K
Format：大16
Edition：1
Color Pages：0
Electronic Version：Yes
Color Images：No
Print Publication Date：2022-12-01
Standard Revision Information
Has Amendment：No
Other Information
Application Dept：国家市场监督管理总局、国家标准化管理委员会
Standard Type：CN
Standard Attribute：GB
Other Standard Number：42271
Drafter：彭同华、佘宗静、王大军、张贺、李素青、王波、杨建、袁松、刘立娜
Drafting Organization：北京天科合达半导体股份有限公司、中关村天合宽禁带半导体技术创新联盟、安徽长飞先进半导体有限公司、有色金属技术经济研究院有限责任公司、中国电子科技集团公司第四十六研究所
Management Organization：全国半导体设备和材料标准化技术委员会(SAC/TC 203)、全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分技术委员会(SAC/TC 203/SC 2)
Proposing Department：全国半导体设备和材料标准化技术委员会(SAC/TC 203)、全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分技术委员会(SAC/TC 203/SC 2)
