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Test method for surface defects on silicon carbide epitaxial wafers—Laser scattering method
Standard in brief
Scope of Application：
本文件描述了激光散射法测试碳化硅外延片表面缺陷的方法。
本文件适用于4H-SiC外延片的表面缺陷测试。
Basic information
Standard No：GB/T 42902-2023
Standard Name：碳化硅外延片表面缺陷的测试 激光散射法
English Name：Test method for surface defects on silicon carbide epitaxial wafers—Laser scattering method
Standard Status：现行
Release Date：2023-08-06
Effective Date：2024-03-01
Language of Publication：中文简体
Standard Classification
ICS Number：77.040
CCS Number：H21
Related Standards
Referenced Standards：GB/T 14264,GB/T 25915.1
Publication Information
Number of pages：16
Number of words：27 K
Format：大16
Edition：1
Color Pages：0
Electronic Version：Yes
Color Images：Yes
Print Publication Date：2023-08-01
Standard Revision Information
Has Amendment：No
Other Information
Application Dept：国家市场监督管理总局、国家标准化管理委员会
Standard Type：CN
Standard Attribute：GB
Other Standard Number：42902
Drafter：钮应喜、袁松、张会娟、刘敏、仇光寅、李京波、彭铁坤、袁肇耿、杨龙、闫果果
Drafting Organization：安徽长飞先进半导体有限公司、广东天域半导体股份有限公司、安徽芯乐半导体有限公司、南京国盛电子有限公司、浙江芯科半导体有限公司、河北普兴电子科技股份有限公司、中国科学院半导体研究所
Management Organization：全国半导体设备和材料标准化技术委员会(SAC/TC 203)、全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分技术委员会(SAC/TC 203/SC 2)
Proposing Department：全国半导体设备和材料标准化技术委员会(SAC/TC 203)、全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分技术委员会(SAC/TC 203/SC 2)
