This standard is the Chinese version electronic standard. After you successfully purchase, we will send the electronic version of this standard to your email address. If you have any question, please contact email: ChineseStandardsLibraryS001@gmail.com.
Test method for thickness of lightly doped silicon epitaxial layers on heavily doped silicon substrates—Infrared reflectance method
Standard in brief
Scope of Application：
本文件描述了红外反射法测试重掺杂衬底上轻掺杂硅外延层厚度的方法。
本文件适用于电阻率为0.000 6 Ω·cm～0.025 Ω·cm的衬底上制备的厚度大于0.5 μm的硅外延层厚度的测试。
Basic information
Standard No：GB/T 14847-2025
Standard Name：重掺杂衬底上轻掺杂硅外延层厚度的测试 红外反射法
English Name：Test method for thickness of lightly doped silicon epitaxial layers on heavily doped silicon substrates—Infrared reflectance method
Standard Status：现行
Release Date：1993-12-30
Effective Date：2026-05-01
Language of Publication：中文简体
Standard Classification
ICS Number：77.040
CCS Number：H21
Related Standards
Referenced Standards：GB/T 6379.2-2004,GB/T 14264,GB/T 25915.1-2021
Publication Information
Number of pages：12
Number of words：19 K
Format：大16
Edition：1
Color Pages：0
Electronic Version：Yes
Color Images：No
Print Publication Date：2025-10-01
Standard Revision Information
Has Amendment：No
Other Information
Application Dept：国家市场监督管理总局、国家标准化管理委员会
Standard Type：CN
Standard Attribute：GB
Other Standard Number：14847
Drafter：李慎重、张海英、李素青、许峰、梁兴勃、蒋玉龙、葛华、李明达、张宏浩、马林宝、马向阳、刘丽娟、贺东江、赵跃、方伟宇、李云鹏、庄育军、韩云霄、雷浩东、袁文战
Drafting Organization：浙江金瑞泓科技股份有限公司、有色金属技术经济研究院有限责任公司、南京盛鑫半导体材料有限公司、中电晶华(天津)半导体材料有限公司、山东有研艾斯半导体材料有限公司、西安龙威半导体有限公司、浙江大学、麦斯克电子材料股份有限公司、布鲁克(北京)科技有限公司、珀金埃尔默企业管理(上海)有限公司、赛默飞世尔科技(中国)有限公司、上海优睿谱半导体设备有限公司、青海沅平新能源科技有限公司
Management Organization：全国半导体设备和材料标准化技术委员会(SAC/TC 203)、全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分技术委员会(SAC/TC 203/SC 2)
Proposing Department：全国半导体设备和材料标准化技术委员会(SAC/TC 203)、全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分技术委员会(SAC/TC 203/SC 2)
