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Test method for measurement of insulator thickness and refractive index on silicon substrates by ellipsometry
Standard in brief
Scope of Application：
1.1 本方法规定了用椭圆偏振测试方法测量生长或沉积在硅衬底上的绝缘体薄膜厚度及折射率的方法。
1.2 本方法适用于薄膜对测试波长没有吸收和衬底对测试波长处不透光、且已知测试波长处衬底折射率和消光系数的绝缘体薄膜厚度及折射率的测量。对于非绝缘体薄膜，满足一定条件时,方可采用本方法。
Basic information
Standard No：YS/T 839-2012
Standard Name：硅衬底上绝缘体薄膜厚度及折射率的椭圆偏振测试方法
English Name：Test method for measurement of insulator thickness and refractive index on silicon substrates by ellipsometry
Standard Status：现行
Release Date：2012-11-07
Effective Date：2013-03-01
Language of Publication：中文简体
Standard Classification
ICS Number：77.120.99
CCS Number：H68
Publication Information
Number of pages：12
Number of words：17 K
Format：大16
Edition：1
Color Pages：0
Electronic Version：Yes
Color Images：No
Print Publication Date：2013-02-01
Standard Revision Information
Has Amendment：No
Other Information
Application Dept：中华人民共和国工业和信息化部
Standard Type：QT
Standard Attribute：YS
Other Standard Number：839
Drafter：高英、武斌、孙燕、徐继平、徐自亮、黄黎
Drafting Organization：中国计量科学研究院、有研半导体材料股份有限公司、瑟米莱伯贸易(上海)有限公司
Management Organization：全国有色金属标准化技术委员会(SAC/TC 243)
