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Semiconductor devices—Hot carrier test on metal-oxide semiconductor(MOS) transistors
Standard in brief
Scope of Application：
本文件描述了晶圆级的NMOS和PMOS晶体管热载流子试验方法，该试验旨在确定某个CMOS工艺中的单个晶体管是否满足所需的热载流子注入效应的寿命时间。
Basic information
Standard No：GB/T 45719-2025
Standard Name：半导体器件 金属氧化物半导体(MOS)晶体管的热载流子试验
English Name：Semiconductor devices—Hot carrier test on metal-oxide semiconductor(MOS) transistors
Standard Status：现行
Release Date：2025-05-30
Effective Date：2025-09-01
Language of Publication：中文简体
Standard Classification
ICS Number：31.080.01
CCS Number：L40
Related Standards
Adopted Standards：IEC 62416:2010
Adopted Standard Name：《半导体器件 MOS晶体管的热载流子试验》
Adoption Level：IDT
Publication Information
Number of pages：16
Number of words：14 K
Format：大16
Edition：1
Color Pages：0
Electronic Version：Yes
Color Images：No
Print Publication Date：2025-05-01
Standard Revision Information
Has Amendment：No
Other Information
Application Dept：国家市场监督管理总局、国家标准化管理委员会
Standard Type：CN
Standard Attribute：GB
Other Standard Number：45719
Drafter：路国光、章晓文、林晓玲、游海龙、杨少华、彭超、肖庆中、韦覃如、来萍、梁斌、张魁、赵文斌、晋李华
Drafting Organization：工业和信息化部电子第五研究所、西安电子科技大学、国防科技大学、河北北芯半导体科技有限公司、中国电子科技集团公司电子第五十八研究所
Management Organization：全国半导体器件标准化技术委员会(SAC/TC 78)
Proposing Department：中华人民共和国工业和信息化部
