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Semiconductor devices—Micro-electromechanical devices—Wafer to wafer bonding strength measurement
Standard in brief
Scope of Application：
本文件规定了晶圆键合后键合强度的测量方法，适用于硅硅共熔键合、硅玻璃阳极键合等多种晶圆键合方式，以及MEMS工艺、组装流程中相关结构尺寸的键合强度的评估。
本文件适用于从十微米到几毫米厚的晶圆间的键合强度测量。
Basic information
Standard No：GB/T 41853-2022
Standard Name：半导体器件 微机电器件 晶圆间键合强度测量
English Name：Semiconductor devices—Micro-electromechanical devices—Wafer to wafer bonding strength measurement
Standard Status：现行
Release Date：2022-10-12
Effective Date：2022-10-12
Language of Publication：中文简体
Standard Classification
ICS Number：31.080.99
CCS Number：L55
Related Standards
Referenced Standards：IEC 60749-19
Adopted Standards：IEC 62047-9:2011
Adopted Standard Name：《半导体器件 微机电器件 第9部分:MEMS的晶圆间键合强度测量》
Adoption Level：IDT
Publication Information
Number of pages：24
Number of words：40 K
Format：大16
Edition：1
Color Pages：0
Electronic Version：Yes
Color Images：No
Print Publication Date：2022-10-01
Standard Revision Information
Has Amendment：No
Other Information
Application Dept：国家市场监督管理总局、国家标准化管理委员会
Standard Type：CN
Standard Attribute：GB
Other Standard Number：41853
Drafter：李倩、王伟强、顾枫、李根梓、翟晓飞、何凯旋、田松杰、刘建生、崔波、武斌、汪蔚、高峰、王冲
Drafting Organization：中国电子科技集团公司第十三研究所、河北美泰电子科技有限公司、中机生产力促进中心有限公司、华东光电集成器件研究所、杭州左蓝微电子技术有限公司、深圳市美思先端电子有限公司、明石创新(烟台)微纳传感技术研究院有限公司、绍兴中芯集成电路制造股份有限公司
Management Organization：全国微机电技术标准化技术委员会(SAC/TC 336)
Proposing Department：全国微机电技术标准化技术委员会(SAC/TC 336)
