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Semiconductor devices—Mobile ion tests for metal-oxide semiconductor field effect transistors
Standard in brief
Scope of Application：
本文件确立了一种用于确定金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFETs)的氧化层中可动正电荷数量的晶圆级测试程序。
本文件适用于有源场效应晶体管和寄生场效应晶体管。可动电荷会引起半导体器件退化，例如改变MOSFETs的阈值电压或使双极型晶体管基极反型。
Basic information
Standard No：GB/T 46789-2025
Standard Name：半导体器件 金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFETs)的可动离子试验
English Name：Semiconductor devices—Mobile ion tests for metal-oxide semiconductor field effect transistors
Standard Status：现行
Release Date：2025-12-02
Effective Date：2026-07-01
Language of Publication：中文简体
Standard Classification
ICS Number：31.080.01
CCS Number：L40
Related Standards
Adopted Standards：IEC 62417:2010
Adopted Standard Name：《半导体器件 金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFETs)的可动离子试验》
Adoption Level：IDT
Publication Information
Number of pages：12
Number of words：13 K
Format：大16
Edition：1
Color Pages：0
Electronic Version：Yes
Color Images：No
Print Publication Date：2025-12-01
Standard Revision Information
Has Amendment：No
Other Information
Application Dept：国家市场监督管理总局、国家标准化管理委员会
Standard Type：CN
Standard Attribute：GB
Other Standard Number：46789
Drafter：赵海龙、彭浩、张魁、张中、席善斌、黄志强、黄杰、刘东月、冉红雷、尹丽晶、颜天宝、裴选、柳华光、曲韩宾、任怀龙、高博、章晓文、苏海伟、陈磊、李述洲、朱袁正、杨国江、李永安、康金萌
Drafting Organization：中国电子科技集团公司第十三研究所、河北北芯半导体科技有限公司、合肥华祯智能科技有限公司、佛山市川东磁电股份有限公司、厦门芯阳科技股份有限公司、河北新华北集成电路有限公司、工业和信息化部电子第五研究所、上海维安半导体有限公司、浙江朗德电子科技有限公司、重庆平伟实业股份有限公司、无锡新洁能股份有限公司、江苏长晶科技股份有限公司、河北赛美科技有限公司
Management Organization：全国半导体器件标准化技术委员会(SAC/TC 78)
Proposing Department：中华人民共和国工业和信息化部
