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Test method for dislocation density of monocrystalline silicon carbide
Standard in brief
Scope of Application：
本文件规定了碳化硅单晶位错密度的测试方法。
本文件适用于晶面偏离{0001}面、偏向〈112-0〉方向0°～8°的碳化硅单晶位错密度的测试。
Basic information
Standard No：GB/T 41765-2022
Standard Name：碳化硅单晶位错密度的测试方法
English Name：Test method for dislocation density of monocrystalline silicon carbide
Standard Status：现行
Release Date：2022-10-12
Effective Date：2023-05-01
Language of Publication：中文简体
Standard Classification
ICS Number：77.040
CCS Number：H21
Related Standards
Referenced Standards：GB/T 14264,GB/T 30656
Publication Information
Number of pages：16
Number of words：24 K
Format：大16
Edition：1
Color Pages：0
Electronic Version：Yes
Color Images：Yes
Print Publication Date：2022-10-01
Standard Revision Information
Has Amendment：No
Other Information
Application Dept：国家市场监督管理总局、国家标准化管理委员会
Standard Type：CN
Standard Attribute：GB
Other Standard Number：41765
Drafter：彭同华、佘宗静、娄艳芳、王大军、赵宁、王波、郭钰、杨建、李素青
Drafting Organization：北京天科合达半导体股份有限公司、有色金属技术经济研究院有限责任公司
Management Organization：全国半导体设备和材料标准化技术委员会(SAC/TC 203)、全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分技术委员会(SAC/TC 203/SC 2)
Proposing Department：全国半导体设备和材料标准化技术委员会(SAC/TC 203)、全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分技术委员会(SAC/TC 203/SC 2)
