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Semiconductor devices—Time-dependent dielectric breakdown(TDDB) test for inter-metal layers
Standard in brief
Scope of Application：
本文件描述了半导体器件内部金属层间的时间相关介电击穿(TDDB)的试验方法、测试结构和寿命时间估算方法。
Basic information
Standard No：GB/T 45718-2025
Standard Name：半导体器件 内部金属层间的时间相关介电击穿(TDDB)试验
English Name：Semiconductor devices—Time-dependent dielectric breakdown(TDDB) test for inter-metal layers
Standard Status：现行
Release Date：2025-05-30
Effective Date：2025-09-01
Language of Publication：中文简体
Standard Classification
ICS Number：31.080.01
CCS Number：L40
Related Standards
Adopted Standards：IEC 62374-1:2010
Adopted Standard Name：《半导体器件 第1部分:内部金属层间的时间相关介电击穿(TDDB)试验》
Adoption Level：IDT
Publication Information
Number of pages：20
Number of words：23 K
Format：大16
Edition：1
Color Pages：0
Electronic Version：Yes
Color Images：No
Print Publication Date：2025-05-01
Standard Revision Information
Has Amendment：No
Other Information
Application Dept：国家市场监督管理总局、国家标准化管理委员会
Standard Type：CN
Standard Attribute：GB
Other Standard Number：45718
Drafter：高汭、陈义强、王铁羊、柯佳键、冯宇翔、雷志锋、方文啸、杨晓锋、俞鹏飞、来萍、常江、罗俊、纪志罡、李治平、宫玉彬
Drafting Organization：工业和信息化部电子第五研究所、吉林华微电子股份有限公司、广东科信电子有限公司、中国电子科技集团公司第二十四研究所、广东汇芯半导体有限公司、上海交通大学、青岛芯瑞智能控制有限公司、电子科技大学
Management Organization：全国半导体器件标准化技术委员会(SAC/TC 78)
Proposing Department：中华人民共和国工业和信息化部
