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Test method for thickness of epitaxial layers—Stacking fault size
Standard in brief
Scope of Application：
本标准规定了利用堆垛层错尺寸法测量硅外延层厚度的方法。
本标准适用于在〈111〉、〈100〉和〈110〉晶向的硅单晶衬底上生长的2 μm～120 μm硅外延层厚度的测量。
Basic information
Standard No：YS/T 23-2016
Standard Name：硅外延层厚度测定 堆垛层错尺寸法
English Name：Test method for thickness of epitaxial layers—Stacking fault size
Standard Status：现行
Release Date：1992-01-01
Effective Date：2016-09-01
Language of Publication：中文简体
Standard Classification
ICS Number：77.040
CCS Number：H21
Related Standards
Referenced Standards：GB/T 14264,GB/T 14847
Publication Information
Number of pages：12
Number of words：12 K
Format：大16
Edition：1
Color Pages：0
Electronic Version：Yes
Color Images：No
Print Publication Date：2017-10-01
Standard Revision Information
Has Amendment：No
Other Information
Application Dept：中华人民共和国工业和信息化部
Standard Type：QT
Standard Attribute：YS
Other Standard Number：23
Drafter：马林宝、杨帆、葛华、刘小青、孙燕、徐新华
Drafting Organization：南京国盛电子有限公司、有研半导体材料有限公司、上海晶盟硅材料有限公司
Management Organization：全国有色金属标准化技术委员会(SAC/TC243)
Proposing Department：全国有色金属标准化技术委员会(SAC/TC243)
