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Test method for the content of surface metal elements on silicon wafers—Inductively coupled plasma mass spectrometry
Standard in brief
Scope of Application：
本标准规定了电感耦合等离子体质谱法测定硅片表面金属元素含量的方法。
本标准适用于硅单晶抛光片和硅外延片表面痕量金属钠、镁、铝、钾、钙、铬、锰、铁、钴、镍、铜、锌元素含量的测定，测定范围为108 cm-2～1013 cm-2。本标准同时也适用于硅退火片、硅扩散片等无图形硅片表面痕量金属元素含量的测定。
注:硅片表面的金属元素含量以每平方厘米的原子数计。
Basic information
Standard No：GB/T 39145-2020
Standard Name：硅片表面金属元素含量的测定 电感耦合等离子体质谱法
English Name：Test method for the content of surface metal elements on silicon wafers—Inductively coupled plasma mass spectrometry
Standard Status：现行
Release Date：2020-10-11
Effective Date：2021-09-01
Language of Publication：中文简体
Standard Classification
ICS Number：77.040
CCS Number：H17
Related Standards
Referenced Standards：GB/T 6624,GB/T 14264,GB/T 17433,GB/T 19921,GB/T 25915.1-2010,GB/T 37837,JJF 1159,SEMI F63
Publication Information
Number of pages：12
Number of words：14 K
Format：大16
Edition：1
Color Pages：0
Electronic Version：Yes
Color Images：No
Print Publication Date：2020-10-01
Standard Revision Information
Has Amendment：No
Other Information
Application Dept：国家市场监督管理总局、国家标准化管理委员会
Standard Type：CN
Standard Attribute：GB
Other Standard Number：39145
Drafter：骆红、潘文宾、赵而敬、孙燕、张海英、徐新华、温子瑛、胡金枝、李素青、马林宝、李俊需
Drafting Organization：南京国盛电子有限公司、有研半导体材料有限公司、浙江金瑞泓科技股份有限公司、上海合晶硅材料有限公司、有色金属技术经济研究院、无锡华瑛微电子技术有限公司、龙腾半导体有限公司、厦门科鑫电子有限公司
Management Organization：全国半导体设备和材料标准化技术委员会(SAC/TC 203)、全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分技术委员会(SAC/TC 203/SC 2)
Proposing Department：全国半导体设备和材料标准化技术委员会(SAC/TC 203)、全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分技术委员会(SAC/TC 203/SC 2)
