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Practice for determining semiconductor wafer near-edge geometry—Part 2:Roll-off amount(ROA)
Standard in brief
Scope of Application：
本文件描述了用边缘卷曲法(ROA)评价半导体晶片近边缘几何形态的方法。
本文件适用于直径300 mm 硅抛光片、硅外延片、绝缘体上硅(SOI片)及其他带有表面层的圆形晶片,也适用于其他半导体材料圆形晶片近边缘几何形态的评价。
注:直径200 mm 硅片参考本文件。
Basic information
Standard No：GB/T 43894.2-2026
Standard Name：半导体晶片近边缘几何形态评价 第2部分：边缘卷曲法(ROA)
English Name：Practice for determining semiconductor wafer near-edge geometry—Part 2:Roll-off amount(ROA)
Standard Status：现行
Release Date：2026-01-28
Effective Date：2026-08-01
Language of Publication：中文简体
Standard Classification
ICS Number：77.040
CCS Number：H21
Related Standards
Referenced Standards：GB/T 14264-2024,GB/T 16596,GB/T 25915.1-2021
Publication Information
Number of pages：16
Number of words：19 K
Format：大16
Edition：1
Color Pages：0
Electronic Version：Yes
Color Images：No
Print Publication Date：2026-01-01
Standard Revision Information
Has Amendment：No
Other Information
Application Dept：国家市场监督管理总局、国家标准化管理委员会
Standard Type：CN
Standard Attribute：GB
Other Standard Number：43894.2
Drafter：:宁永铎、朱晓彤、于亚迪、王玥、张婉婉、张雪囡、刘云霞、徐国科、吕莹、徐新华、
丁雄杰、马砚忠、陆占清
Drafting Organization：山东有研半导体材料有限公司、西安奕斯伟材料科技股份有限公司、天津中环领先材料技术有限公司、金瑞泓微电子(衢州)有限公司、浙江丽水中欣晶圆半导体科技有限公司、广东天域半导体股份有限公司、深圳中科飞测科技股份有限公司、云南驰宏国际锗业有限公司
Management Organization：全国半导体设备和材料标准化技术委员会(SAC/TC 203)、全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分技术委员会(SAC/TC 203/SC 2)
Proposing Department：全国半导体设备和材料标准化技术委员会(SAC/TC 203)、全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分技术委员会(SAC/TC 203/SC 2)
