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Test method for micropipe density of monocrystalline silicon carbide
Standard in brief
Scope of Application：
本文件描述了碳化硅单晶片的微管密度的测试方法，包括化学腐蚀法和偏振光法。
本文件适用于碳化硅单晶片微管密度的测试。
Basic information
Standard No：GB/T 30868-2025
Standard Name：碳化硅单晶片微管密度测试方法
English Name：Test method for micropipe density of monocrystalline silicon carbide
Standard Status：现行
Release Date：2014-07-24
Effective Date：2026-02-01
Language of Publication：中文简体
Standard Classification
ICS Number：77.040
CCS Number：H21
Related Standards
Referenced Standards：GB/T 14264,GB/T 43612
Publication Information
Number of pages：12
Number of words：15 K
Format：大16
Edition：1
Color Pages：0
Electronic Version：Yes
Color Images：No
Print Publication Date：2025-08-01
Standard Revision Information
Has Amendment：No
Other Information
Application Dept：国家市场监督管理总局、国家标准化管理委员会
Standard Type：CN
Standard Attribute：GB
Other Standard Number：30868
Drafter：姚康、许蓉、佘宗静、何烜坤、王英明、张红岩、齐菲、丁雄杰、李素青、刘小平、欧阳鹏根、潘文宾、晏阳、王志勇、王明华、胡润光、李明达、张超越、孙毅、赵丽丽、赵新田、陈基生
Drafting Organization：中国电子科技集团公司第四十六研究所、北京天科合达半导体股份有限公司、山东天岳先进科技股份有限公司、广东天域半导体股份有限公司、有色金属技术经济研究院有限责任公司、安徽长飞先进半导体股份有限公司、浙江晶瑞电子材料有限公司、南京盛鑫半导体材料有限公司、湖州东尼半导体科技有限公司、长飞光纤光缆股份有限公司、浙江材孜科技有限公司、连科半导体有限公司、中电晶华(天津)半导体材料有限公司、上海优睿谱半导体设备有限公司、河南中宜创芯发展有限公司、哈尔滨科友半导体产业装备与技术研究院有限公司、宁波合盛新材料有限公司、厦门中芯晶研半导体有限公司
Management Organization：全国半导体设备和材料标准化技术委员会(SAC/TC 203)、全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分技术委员会(SAC/TC 203/SC 2)
Proposing Department：全国半导体设备和材料标准化技术委员会(SAC/TC 203)、全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分技术委员会(SAC/TC 203/SC 2)
