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Semiconductor devices—Bias-temperature instability test for metal-oxide semiconductor field-effect transistors(MOSFETs)
Standard in brief
Scope of Application：
本文件描述了金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFETs)的偏置温度不稳定性(BTI)试验方法。
Basic information
Standard No：GB/T 45716-2025
Standard Name：半导体器件 金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFETs)的偏置温度不稳定性试验
English Name：Semiconductor devices—Bias-temperature instability test for metal-oxide semiconductor field-effect transistors(MOSFETs)
Standard Status：现行
Release Date：2025-05-30
Effective Date：2025-09-01
Language of Publication：中文简体
Standard Classification
ICS Number：31.080.01
CCS Number：L40
Related Standards
Adopted Standards：IEC 62373:2006
Adopted Standard Name：《金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)的偏置温度稳态试验》
Adoption Level：IDT
Publication Information
Number of pages：16
Number of words：19 K
Format：大16
Edition：1
Color Pages：0
Electronic Version：Yes
Color Images：No
Print Publication Date：2025-05-01
Standard Revision Information
Has Amendment：No
Other Information
Application Dept：国家市场监督管理总局、国家标准化管理委员会
Standard Type：CN
Standard Attribute：GB
Other Standard Number：45716
Drafter：恩云飞、高汭、章晓文、来萍、柴智、林晓玲、陈义强、周圣泽、高金环、任鹏鹏、都安彦、李伟聪、陈磊、冉红雷
Drafting Organization：工业和信息化部电子第五研究所、河北北芯半导体科技有限公司、上海交通大学、中科院微电子所、厦门芯阳科技股份有限公司、深圳市威兆半导体股份有限公司、浙江朗德电子科技有限公司、中国电子科技集团公司第十三研究所
Management Organization：全国半导体器件标准化技术委员会(SAC/TC 78)
Proposing Department：中华人民共和国工业和信息化部
