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Test methods for edge contour of silicon wafers
Standard in brief
Scope of Application：
本标准规定了硅片边缘轮廓（包含切口)的检验方法。
本标准适用于检验倒角硅片的边缘轮廓（包含切口)，砷化镓等其他材料晶片边缘轮廓的检验可参照本标准执行。
Basic information
Standard No：YS/T 26-2016
Standard Name：硅片边缘轮廓检验方法
English Name：Test methods for edge contour of silicon wafers
Standard Status：现行
Release Date：1992-03-09
Effective Date：2017-01-01
Language of Publication：中文简体
Standard Classification
ICS Number：77.040
CCS Number：H21
Related Standards
Referenced Standards：GB/T 14264
Publication Information
Number of pages：12
Number of words：16 K
Format：大16
Edition：1
Color Pages：0
Electronic Version：Yes
Color Images：No
Print Publication Date：2018-08-01
Standard Revision Information
Has Amendment：No
Other Information
Application Dept：中华人民共和国工业和信息化部
Standard Type：QT
Standard Attribute：YS
Other Standard Number：26
Drafter：田素霞、李战国、苗利刚、焦二强、安瑞阳、邵成波、王文卫
Drafting Organization：洛阳单晶硅集团有限责任公司、有研半导体材料有限公司、浙江金瑞泓科技股份有限公司
Management Organization：全国有色金属标准化技术委员会(SAC/TC 243)
Proposing Department：全国有色金属标准化技术委员会(SAC/TC 243)
