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Semiconductor devices—Mechanical and climatic test methods—Part 44:Neutron beam irradiated single event effect(SEE) test method for semiconductor devices
Standard in brief
Scope of Application：
本文件描述了一种测量高密度集成电路单粒子效应(SEE)的试验方法，包括带存储的半导体器件在受到宇宙射线产生的大气中子辐照时的数据保持能力。通过已知注量率的中子辐照测量得到半导体器件的单粒子效应敏感性。该试验方法适用于任何种类集成电路。
注1： 高压半导体器件也会产生单粒子效应，包括单粒子烧毁(SEB)、单粒子栅穿(SEGR)等，本文件不包括此部分内容，请参考IEC 62396-4。
注2： 除高能中子外，能量小于1 eV的热中子也能导致部分器件产生软错误，本文件不包括此部分内容，请参考IEC 62396-5。
Basic information
Standard No：GB/T 4937.44-2025
Standard Name：半导体器件 机械和气候试验方法 第44部分：半导体器件的中子辐照单粒子效应(SEE)试验方法
English Name：Semiconductor devices—Mechanical and climatic test methods—Part 44:Neutron beam irradiated single event effect(SEE) test method for semiconductor devices
Standard Status：现行
Release Date：2025-12-02
Effective Date：2026-07-01
Language of Publication：中文简体
Standard Classification
ICS Number：31.080.01
CCS Number：L40
Related Standards
Adopted Standards：IEC 60749-44:2016
Adopted Standard Name：《半导体器件 机械和气候试验方法 第44部分:半导体器件的中子辐照单粒子效应(SEE)试验方法》
Adoption Level：IDT
Publication Information
Number of pages：20
Number of words：31 K
Format：大16
Edition：1
Color Pages：0
Electronic Version：Yes
Color Images：Yes
Print Publication Date：2025-12-01
Standard Revision Information
Has Amendment：No
Other Information
Application Dept：国家市场监督管理总局、国家标准化管理委员会
Standard Type：CN
Standard Attribute：GB
Other Standard Number：4937.44
Drafter：何玉娟、张战刚、恩云飞、雷志锋、彭超、席善斌、来萍、黄云、何小琦、李强、常江、张晓全、曹宏建、杨少华
Drafting Organization：工业和信息化部电子第五研究所、中国电子科技集团公司第十三研究所、广州盟标质量检测技术服务有限公司、吉林华微电子股份有限公司、广微(中山)智能科技有限公司
Management Organization：全国半导体器件标准化技术委员会(SAC/TC 78)
Proposing Department：中华人民共和国工业和信息化部
